Semi-conducteurs. Page 357 sur 485. Avtronic

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10167 articles disponibles

Affichage 21 articles: STP20NM60FD à STP55NF06L (Page 357 sur 485)

Transistor MOSFET canal-N STP20NM60FD

13.44€ TTC

3 En stock

Transistor MOSFET canal-N 600V 20A/80Ap 192W. Résistance passante RDSon : 0.26 Ohms (12.6A)

Tarifs dégressifs

Transistor STP20NM60FP

12.04€ TTC

24 En stock

Transistor STP20NM60FP N-MOS 600V 20A/80Ap 45W 0.07R(14A). MDmesh Power MOSFAT. HIGH dv/dt. Low Gata Capac. & Low Input Charge. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 20 A.

Tarifs dégressifs

Transistor STP24NF10

3.81€ TTC

90 En stock

Transistor MOSFET canal N 100V 26A/104Ap 85W 0.055R (18A)

Tarifs dégressifs

Transistor STP30NF10

3.53€ TTC

37 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 100V 35A. Boîtier: TO220. Vds(max): 100V. Id(@25ºC): 35A. Puissance: 115W. Résistance Rds: 0.038 Ohms.

Tarifs dégressifs

Transistor STP36NF06

4.03€ TTC

47 En stock

Transistor STP36NF06 N-MOS 60V 30A/120Ap. 70W 0.032R(21A). STripFETII POWER MOSFET. trr: 65nS. Exceptional dv/dt capabilty. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 30 A.

Tarifs dégressifs

Transistor STP36NF06FP

4.03€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 18A. Boîtier: TO-220FP. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 18A. Puissance: 25W. Résistance Rds: 0.032 Ohms. STripFET II POWER MOSFET.

Tarifs dégressifs

Transistor STP36NF06L

3.42€ TTC

24 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 30A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 30A. Puissance: 70W. Résistance Rds: 0.032 Ohms. STripFET II POWER MOSFET.

Tarifs dégressifs

Transistor STP3NA60

4.20€ TTC

61 En stock

Transistor STP3NA60 N-MOS 600V 2.9A 80W <4R(1.8A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: ST. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.9 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.8 A. Rds (Ohms): 4. Puissance: 80 W

Tarifs dégressifs

Transistor STP3NB60

4.20€ TTC

53 En stock

Transistor STP3NB60 N-MOS 600V 3.3A 80W<3.6R(2.1A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: ST. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.1 A. Rds (Ohms): 3.6. Puissance: 80 W

Tarifs dégressifs

Transistor STP3NB80

6.05€ TTC

12 En stock

Transistor STP3NB80 N-MOS 800V 2.6A 90W <6.5R(1.3A. V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: ST. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.3 A. Rds (Ohms): 6.5. Puissance: 90 W

Tarifs dégressifs

Transistor STP3NC90ZFP

5.10€ TTC

32 En stock

Transistor STP3NC90ZFP N-MOS 900V 3.5A* 35W<3.2R(2.2A*). PowerMESH III. MOSFET. Zéner-Protected. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.5 A

Tarifs dégressifs

Transistor STP3NK60ZFP

3.19€ TTC

94 En stock

Transistor STP3NK60ZFP N-MOS+Z 600V 2.4A/9.6Ap. 20W 3.3R(1.51A). SuperMESH Power MOSFET. Zéner-Protected. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.51 A.

Tarifs dégressifs

Transistor STP3NK90ZFP

4.48€ TTC

51 En stock

Transistor STP3NK90ZFP N-MOS+Z 900V 3A/12Ap. 25W 4.1R(1.89A). SuperMESH Power MOSFET. Zéner-Protected. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.89 A.

Tarifs dégressifs

Transistor STP4NB80

5.66€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor STP4NB80 N-MOS 800V 4A 100W <3.3R(2A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: ST. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2 A. Rds (Ohms): 3.3. Puissance: 100 W

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N STP4NB80FP

5.71€ TTC

79 En stock

Transistor MOSFET canal-N 800V 4A/16A 35W. Résistance passante RDSon : 3.3 Ohms (2.4A)

Tarifs dégressifs

Transistor STP4NK60Z

5.66€ TTC

22 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 600V 4A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 600V. Id(@25ºC): 4A. Puissance: 70W. Résistance Rds: 1.76 Ohms. SuperMESH. Zéner-Protected.

Tarifs dégressifs

Transistor STP4NK60ZFP

3.81€ TTC

11 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 600V 4A. Boîtier: TO-220FP isolé. Vds(max): 600V. Id(@25ºC): 4A. SuperMESH. Zéner-Protected.

Tarifs dégressifs

Transistor STP4NK80ZFP

4.70€ TTC

18 En stock

Transistor STP4NK80ZFP N-MOS+Z 800V 3A 25W<3R(1.89A). SuperMESH. Zéner-Protected. Power MOSFET. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.89 A. Rds (Ohms): 3.

Tarifs dégressifs

Transistor STP55NE06

4.82€ TTC

2 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 55A/220Ap. 130W 0.019R(39A). Boîtier: TO-220. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 55A. Puissance: 130W. Id(T=100): 39A. Id(imp): 220 Ap. Résistance Rds: 0.019. Technologie: SINGLE FEATURE SIZE Power MOSFET. Fréquence de l´horlogenction: Fast switch. td(on): 30nS.

Tarifs dégressifs

Transistor STP55NF06

3.25€ TTC

135 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 50A. Référence d'origine constructeur: STP55NF06. Marquage boîtier: P55NF06. Boîtier: TO-220. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 50A. Puissance: 110W. Résistance Rds: 0.015 Ohms. STripFET II Power MOSFET.

Tarifs dégressifs

Transistor STP55NF06L

5.71€ TTC

163 En stock

Transistor STP55NF06L N-MOS 60V 55A/220Ap. 95W 0.016R(39A). STripFETII Power MOSFET. Fast switch. td(on): 20nS. td(off): 40nS. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 55 A.

Tarifs dégressifs

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Transistor MOSFET canal-N STP20NM60FD

Transistor MOSFET canal-N 600V 20A/80Ap 192W. Résistance passante RDSon : 0.26 Ohms (12.6A)

Transistor STP20NM60FP

Transistor STP20NM60FP N-MOS 600V 20A/80Ap 45W 0.07R(14A). MDmesh Power MOSFAT. HIGH dv/dt. Low Gata Capac. & Low Input Charge. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 20 A.

Transistor STP24NF10

Transistor MOSFET canal N 100V 26A/104Ap 85W 0.055R (18A)

Transistor STP30NF10

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 100V 35A. Boîtier: TO220. Vds(max): 100V. Id(@25ºC): 35A. Puissance: 115W. Résistance Rds: 0.038 Ohms.

Transistor STP36NF06

Transistor STP36NF06 N-MOS 60V 30A/120Ap. 70W 0.032R(21A). STripFETII POWER MOSFET. trr: 65nS. Exceptional dv/dt capabilty. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 30 A.

Transistor STP36NF06FP

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 18A. Boîtier: TO-220FP. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 18A. Puissance: 25W. Résistance Rds: 0.032 Ohms. STripFET II POWER MOSFET.

Transistor STP36NF06L

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 30A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 30A. Puissance: 70W. Résistance Rds: 0.032 Ohms. STripFET II POWER MOSFET.

Transistor STP3NA60

Transistor STP3NA60 N-MOS 600V 2.9A 80W <4R(1.8A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: ST. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.9 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.8 A. Rds (Ohms): 4. Puissance: 80 W

Transistor STP3NB60

Transistor STP3NB60 N-MOS 600V 3.3A 80W<3.6R(2.1A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: ST. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.1 A. Rds (Ohms): 3.6. Puissance: 80 W

Transistor STP3NB80

Transistor STP3NB80 N-MOS 800V 2.6A 90W <6.5R(1.3A. V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: ST. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.3 A. Rds (Ohms): 6.5. Puissance: 90 W

Transistor STP3NC90ZFP

Transistor STP3NC90ZFP N-MOS 900V 3.5A* 35W<3.2R(2.2A*). PowerMESH III. MOSFET. Zéner-Protected. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.5 A

Transistor STP3NK60ZFP

Transistor STP3NK60ZFP N-MOS+Z 600V 2.4A/9.6Ap. 20W 3.3R(1.51A). SuperMESH Power MOSFET. Zéner-Protected. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.51 A.

Transistor STP3NK90ZFP

Transistor STP3NK90ZFP N-MOS+Z 900V 3A/12Ap. 25W 4.1R(1.89A). SuperMESH Power MOSFET. Zéner-Protected. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.89 A.

Transistor STP4NB80

Transistor STP4NB80 N-MOS 800V 4A 100W <3.3R(2A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: ST. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2 A. Rds (Ohms): 3.3. Puissance: 100 W

Transistor MOSFET canal-N STP4NB80FP

Transistor MOSFET canal-N 800V 4A/16A 35W. Résistance passante RDSon : 3.3 Ohms (2.4A)

Transistor STP4NK60Z

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 600V 4A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 600V. Id(@25ºC): 4A. Puissance: 70W. Résistance Rds: 1.76 Ohms. SuperMESH. Zéner-Protected.

Transistor STP4NK60ZFP

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 600V 4A. Boîtier: TO-220FP isolé. Vds(max): 600V. Id(@25ºC): 4A. SuperMESH. Zéner-Protected.

Transistor STP4NK80ZFP

Transistor STP4NK80ZFP N-MOS+Z 800V 3A 25W<3R(1.89A). SuperMESH. Zéner-Protected. Power MOSFET. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.89 A. Rds (Ohms): 3.

Transistor STP55NE06

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 55A/220Ap. 130W 0.019R(39A). Boîtier: TO-220. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 55A. Puissance: 130W. Id(T=100): 39A. Id(imp): 220 Ap. Résistance Rds: 0.019. Technologie: SINGLE FEATURE SIZE Power MOSFET. Fréquence de l´horlogenction: Fast switch. td(on): 30nS.

Transistor STP55NF06

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 50A. Référence d'origine constructeur: STP55NF06. Marquage boîtier: P55NF06. Boîtier: TO-220. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 50A. Puissance: 110W. Résistance Rds: 0.015 Ohms. STripFET II Power MOSFET.

Transistor STP55NF06L

Transistor STP55NF06L N-MOS 60V 55A/220Ap. 95W 0.016R(39A). STripFETII Power MOSFET. Fast switch. td(on): 20nS. td(off): 40nS. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 55 A.

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